几乎所有三极管参数都是温度相关的，因此不应被忽略。温度对下列三个参数影响最大。
（1）对β的影响：
三极管的β随温度的升高而增加，温度升高1%℃，β值将增加约0.5至。结果表明，在相同的IB条件下，集电极电流IC随着温度的升高而增大。
（2）对反向饱和电流ICEO的影响：
暗电流是由少数载流子的漂移运动形成的，即环境温度有很大的关系，和暗电流急剧增加，随着温度的升高。温度将上升10摄氏度，并将双ICEO。因为硅管的暗电流很小，温度对硅管的暗电流的影响不大。
（3）对发射结电压UBE的影响：
与二极管的正向特性，温度上升1摄氏度，和宇部将下降2到2.5mv。
总之，随着温度的升高，β值将增加，IC也将增加，UCE将下降，从而不利于三极管放大，以及应采取的相应措施克服温度的影响。